为准确测量未知中子辐射场的中子注量，需提前对中子探测器进行灵敏度标定，所针对的能量范围以快中子为主（0.1MeV～20MeV）。目前，Back-n提供了从热能到100 MeV的各种能量的中子且注量率很高，明显好于高压倍加器等其他中子源，为探测器灵敏度标定提供了较好的条件。图1为闪烁薄膜探测器能量响应标定现场及与典型结果。
可以在Back-n上开展标定的探测器有裂变靶探测系统和闪烁薄膜探测器。其中，裂变靶探测系统使用235U或238U作为中子转换靶，中子与其作用后产生裂变碎片，由半导体探测器（如：Si-PIN探测器或SiC探测器等）探测，其标定示意图及靶室如图2所示。闪烁薄膜探测器由薄的有机闪烁体（如BC-408）与光电倍增管构成，如图3所示。
尽管各类探测器之间灵敏度相差较大，但标定方法基本相同：采用飞行时间将中子谱拉开，再通过电子学线路进行探测系统在不同中子能量时输出信号的选择，可一举解决探测器灵敏度多能点标定难题。电子学系统主要由基于NIM标准的插件及基于CAMAC或VME的多参数数据获取系统构成，可同时进行时间、能量、电荷、波形分辨等多种参数的数据采集与甄别处理。包括的电子学模块如：幅度数字变换器（ADC）、时间数字变换器（TDC）、电荷数字变换器（QDC）、恒比定时器（CFD）、定标器（Scaler）等、前置放大器（PreAmp）等。
